通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45 nm及以下技术节点的掩模要求.此外类似于折射指数、平整度、成分、均......

提出一种由曝光单元拼接斜矩形线条的数学模型，基于该模型编制了一款数据处理程序。利用该数据处理程序和特制的光栏版，使精缩机实现......

介绍了制版工艺中常见的缺陷类型，分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用，就缺陷控制的办法进行了有益的探讨，对光掩模版的......

本文论述了掩模缺陷成因、类型，掩模修补的重要性和掩模修补（包括相移掩模修补）的原理和方法。比较详细地介绍了中科院光电所研制的ＬＭＲ－１型......

IP胶亲水性较差,在显影时易造成显影不完全.介绍了一种在显影前适当增加等离子体表面预处理,以提高IP胶表面微粗糙度,进而改善IP胶......

采用有限状态机模型设计了集成电路光刻版上各个图形布局的自动系统.将布局的各个阶段定义为不同的状态,布局规则定义为触发条件,......

提出一种新的UT 1X光刻版规格：63．5mm×127mm，与原来的76．2mm×127mm的UT1X光刻版适用于同一种Ultra Tech步进光刻机。相应的......

通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45lira及以下技术节点的掩模要求。此外类似于折射指数、平整度、成分、......

紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200～285nm的紫外光区几乎不透光。本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光......